4N60-ASEMI开关电源与适配器专用4N60
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4N60-ASEMI开关电源与适配器专用4N60
型号:4N60
品牌:ASEMI
封装:TO-220F
批号:最新
最大漏源电流:4A
漏源击穿电压:600V
RDS(ON)Max:2.50Ω
引脚数量:3
沟道类型:N沟道MOS管、高压MOS管
漏电流:ua
特性:N沟道MOS管、场效应管
工作温度:-55℃~150℃
高耐压与稳定性能
4N60系列MOS管采用N沟道增强型设计,漏源击穿电压达600V,栅源电压范围±30V,可稳定应对高压环境下的复杂工况。其雪崩能量达180mJ,支持宽温工作(-55℃至150℃),在过载或极端温度下仍保持可靠输出。
低损耗与高效能
在栅极电压10V时,导通电阻(RDS(ON))低至2.3Ω~2.5Ω,显著降低导通损耗;部分型号栅极电荷仅13.5nC(典型值),配合快速切换能力,开关速度提升30%,适用于高频开关场景。
多样化封装适配灵活设计
提供TO-220、TO-251、TO-252等封装形式,满足紧凑型设备与高散热需求。TO-220封装凭借104W的高功耗能力,成为工业电源和电机驱动的首选方案
开关电源与适配器
凭借低导通电阻和快速响应特性,4N60系列在AC-DC转换器中实现95%以上的能效,广泛应用于消费电子电源与工业级适配器。
智能家电与电机驱动
支持PWM调速和桥式电路设计,为高压吹风机、智能电饭煲等家电提供稳定动力,并在电动汽车电机控制中实现精准功率管理。
新能源与储能系统
在光伏逆变器、储能设备中,其高耐压特性保障电能高效转换,雪崩能力提升系统在电网波动时的稳定性。
LED照明与通信设备
用于高压LED驱动模块,确保宽电压输入下的亮度一致性;在射频放大器中,低反向传输电容保障信号保真度。